NVIDIA带来芯片光刻技术大飞跃：提速40倍

发布时间：2023-03-22 09:43:49 所属栏目：产品来源：

导读：NVIDIA春季GTC技术大会召开。作为NVIDIA炫技的主要舞台，新东西可谓眼花缭乱。

其中值得关注的一项是，NVIDIA宣布推出cuLitho软件加速库，可以将计算光刻的用时提速40倍。

所谓计算光刻就是为芯片生产制作光掩

NVIDIA春季GTC技术大会召开。作为NVIDIA炫技的主要舞台，新东西可谓眼花缭乱。

其中值得关注的一项是，NVIDIA宣布推出cuLitho软件加速库，可以将计算光刻的用时提速40倍。

所谓计算光刻就是为芯片生产制作光掩模的技术，掩模是一种平面透明或半透明的光学元件，上面有芯片加工所需的图案，按照是否需要曝光将图案转移到光刻胶层上。光刻加工过程开始后，通过控制光刻机的曝光和开关操作，可以将光束根据掩膜上的图案进行分割和定位，该芯片的光刻胶层,可以直接照射光束至所要求的区域上,以达到芯片光刻的效果,并且芯片上的图案不会转移到光刻胶层上。

因为每种芯片都要经历多次曝光，所以光刻中使用的掩膜数量不尽相同。NVIDIA H100（台积电4N工艺，800亿晶体管）需要89张掩膜，Intel的14nm CPU需要50多张掩膜。

此前“精雕细琢”的计算光刻依赖CPU服务器集群，现在NVIDIA表示，500套DGX H100（包含4000颗Hopper GPU）可完成与4万颗CPU运算服务器相同的工作量，但速度快40倍，功耗低9倍。

这意味着，GPU加速后，生产光掩模的计算光刻工作用时可以从几周减少到八小时。

黄仁勋透露，NVIDIA已经和ASML（荷兰阿斯麦）、台积电以及新思科技签署技术合作，新思甚至已经将该技术集成到其EDA工具中，将服务2nm甚至更高精度的制程。

NVIDIA认为，新技术可以按照更好的设计规则实现更高的芯片密度和产量,以及借助人工智能技术驱动光刻工艺的前进。在此基础上，研究团队开发了一种新型的高分辨率光刻胶，可以实现更高的精度和更低的成本。

按照NVIDIA预估，未来几年高NA EUV光刻机应用后，掩膜制作的计算数据量将提升10倍以上，目前cuLitho软件加速库已经支持高NA EUV光刻可能用到的曲线掩膜、亚原子光致抗蚀剂掩膜等制造。

（编辑：汽车网）

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