Intel 20A工艺杀手锏亮相

发布时间：2023-05-06 09:23:47 所属栏目：产品来源：

导读：Intel一直在积极推进四年五代工艺节点的战略，2021-2024年间将陆续投产7、4、3、20A、18A。

其中，20A、18A将迈入埃米时代，大致可以立即为2nm、1.8nm，前者将追平台积电，后者则最终实现反超。

Intel 20A工艺

Intel一直在积极推进四年五代工艺节点的战略，2021-2024年间将陆续投产7、4、3、20A、18A。

其中，20A、18A将迈入埃米时代，大致可以立即为2nm、1.8nm，前者将追平台积电，后者则最终实现反超。

Intel 20A工艺将引入两种全新的工艺，PowerVia背部供电、RibbonFET全环绕栅极晶体管。这两种工艺都是目前业界最先进的技术，可以提供更高的电压和更低的功耗。

PwoerVia技术将传统位于芯片正面的供电层改到背面，与信号传输层分离，通过一系列TSV硅穿孔为芯片供电，可以大大降低太阳能电池的供电噪声、电阻损耗，可靠地优化太阳能电池供电能量的分布，因此可以提高太阳能电池的整体能效。

计划在6月11-16日举办的VLSI Symposium 2023研讨会上，Intel将首次展示PowerVia技术，不过采用的不是20A工艺，而是基于Intel 4工艺的一颗测试芯片，架构则是E核。

这颗核心的面积仅为2.9平方毫米，得益于PowerVia技术，大部分区域的标准单元利用率都超过了90％，其余的也基本都在80％之上。这样的设计可以让电池容量最大化，同时也能最大限度减少热量的产生。

同时，PowerVia技术还带来了超过5％的频率提升，吞吐时间略高但可以接受，功耗发热情况符合预期。另外，powervia的电池寿命也得到了改善，在满电状态下可以连续使用4小时，而不是现在的2小时。

除了用于自家产品，Intel也将使用PowerVia技术为客户代工，这也是提前展示其能力的一个原因。

（编辑：汽车网）

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