Intel PowerVia背面供电测试成功

发布时间：2023-06-06 09:14:33 所属栏目：数码来源：

导读：Intel官方宣布，率先在代号为“Blue Sky Creek”产品级测试芯片上实现了背面供电技术，将于2024年上半年在Intel 20A工艺节点上正式落地。

传统的正面供电技术，信号走线、供电走线都位于晶圆的正面，需

Intel官方宣布，率先在代号为“Blue Sky Creek”产品级测试芯片上实现了背面供电技术，将于2024年上半年在Intel 20A工艺节点上正式落地。

传统的正面供电技术，信号走线、供电走线都位于晶圆的正面，需要共享甚至争夺每一金属层的资源,同时必须使各金属层的引脚间距扩大,从而产生更低的成本和更大的复杂性。

背面供电技术，则将信号走线、供电走线分离，后者转移到晶圆背面，它们可以分别进行优化,这会带来更高的性能,更低的费用,但也面临成品率和可靠性方面的挑战。散热、调试等各方面的挑战。

为了加速研发，Intel选择了PowerVia、RibbonFET两项技术分开研发的方式，率先推进的就是PowerVia。

Intel通过测试证实，PowerVia技术确实能显著提高芯片的使用效率，大部分区域的标准单元利用率都超过了90％，因此其可以明显降低成本,同时,晶体管的体积大大缩小,单元密度大幅增加。

同时，PowerVia已在测试中达到了相当高的良率和可靠性指标，证明了这一技术的预期价值。

为了应对这种全新的晶体管供电方式，Intel开发了全新的散热技术，展示了良好的散热特性，可避免出现过热。

同时，调试团队也开发了新技术，确保这种新的晶体管设计结构在调试中出现的各种问题都能得到适当解决。

根据此前披露的信息，Intel PowerVia技术的测试芯片采用了Intel 4制造工艺，22个金属层，单个核心面积仅为2.9平方毫米，1.1V电压下达到了3GHz频率。

（编辑：汽车网）

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