美国公司宣布全球首款3D内存

发布时间：2023-05-06 10:08:40 所属栏目：产品来源：

导读：全球主要的两种存储芯片中，NAND闪存已经进入3D时代，容量比2D时代大幅提升，DRAM内存还停留在2D，现在美国NEO半导体公司日前宣布了全球首款3D内存，旨在解决内存容量瓶颈，容量追上SSD不是问题。

NEO是美国一家存

全球主要的两种存储芯片中，NAND闪存已经进入3D时代，容量比2D时代大幅提升，DRAM内存还停留在2D，现在美国NEO半导体公司日前宣布了全球首款3D内存，旨在解决内存容量瓶颈，容量追上SSD不是问题。

NEO是美国一家存储芯片技术公司，此前推出的3D X-NAND闪存号称解决了TLC、QLC闪存的性能及耐用性问题，这次推出的3D X-DRAM又号称全球首款类3D NAND的内存技术，将电子游戏内存平台带入无缝切换的3D时代，我们要做移动游戏内存行业的游戏规则顺应时势的改变者。

3D X-DRAM技术的思路跟3D NAND闪存类似，都是通过堆栈层数来提高内存容量，类似于闪存芯片中的FBC浮栅极技术，但增加一层简易的Mask光罩就可以形成三维立体垂直光刻胶的结构，因此良率相对比较高，有机材料的成本低，有机材料的密度大幅提升。

NEO公司承诺，2025年推出的第一代3D X-DRAM就可以做到230层堆栈，核心容量128Gb，而当前2D DRAM内存的核心容量还在16Gb，实现了8倍容量。

这还不算，NEO公司的目标是每10年将3D X-DRAM容量提升8倍，到2035年的时候推出1Tb核心容量的3D X-DRAM，相比现在总计64倍容量提升。

按照他们的说法，未来的内存不仅轻松TB容量起步，追上SSD硬盘也很容易，要知道当前3D闪存的核心容量也就512Gb到1Tb。

（编辑：汽车网）

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